Samsung cũng 'gặp hạn' với chip 3nm như Apple
Báo cáo mới nhất từ Digitimes cho thấy Samsung có thể gặp phải sự chậm trễ trong việc đưa quy trình sản xuất 3nm ra thị trường giống như những gì mà TSMC đối mặt.
Vào tuần trước đã có những báo cáo cho biết quy trình 3nm của TSMC đang bị trì hoãn và dòng iPhone 14 năm 2022 có thể đi kèm chip A16 Bionic 4nm thay vì A16 Bionic 3nm. Do sự chậm trễ này, mẫu iPhone năm sau có thể không mạnh mẽ hoặc tiết kiệm năng lượng như những gì người dùng mong đợi.
Samsung có kế hoạch sử dụng các bóng bán dẫn Gate-all-around hoặc GAA với các thành phần 3nm thay thế các bóng bán dẫn FinFET mà hãng đã sử dụng với các chip cũ hơn của mình. Samsung được cho là đang phải đối mặt với các vấn đề rò rỉ liên quan đến công nghệ mới, và những chip GAA 3nm của Samsung không mang đến kết quả cạnh tranh với chip FinFET 3nm của TSMC.
Báo cáo vào tuần trước của Digitimes cho biết việc sản xuất số lượng lớn công nghệ GAA 3nm của Samsung khó có thể diễn ra vào năm 2023 như kế hoạch ban đầu. Ban đầu, điều này có vẻ như Samsung sẽ tụt lại phía sau TSMC trong cuộc đua giành ưu thế về quy trình 3nm, tuy nhiên với việc TSMC hiện đang phải đối mặt với sự chậm trễ nghiêm trọng của riêng mình, thật khó có thể nói rằng một trong hai xưởng đúc đã giành được lợi thế hơn xưởng còn lại.
Apple được cho là đã đặt hàng TSMC cho chip FinFET A16 Bionic 3nm của họ, tuy nhiên sự chậm trễ nói trên có thể dẫn đến việc công ty sử dụng chip 4nm vào năm sau. Apple và TSMC đã thảo luận về việc sản xuất các thành phần 4nm, bao gồm cả chip M2. Thành viên kế nhiệm M1 được cho là sử dụng kiến trúc ARM và có mặt trên một số mẫu Mac và iPad nhất định.
Samsung dự kiến sẽ chịu trách nhiệm sản xuất chip Snapdragon 898 do Qualcomm thiết kế. Với hiệu suất tăng 20%, chip này dự kiến sẽ ra mắt bằng cách sử dụng quy trình 4nm của Samsung. Thành phần này sẽ được phát hành vào đầu năm sau để kịp thời sử dụng trên phiên bản Mỹ của dòng Galaxy S22. Trong nửa cuối năm 2022, Qualcomm dự kiến sẽ quay lại TSMC để sản xuất chip Snapdragon 898+ cải tiến bằng cách sử dụng quy trình 3nm.
Tin nổi bật
Tin Video